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展开参数
CD12AD01
高集成度微弱信号采集 ASIC 芯片
数据表格
电源电压(V) 2.2 to 3.6
目标探测器 热释电
输入阻抗 10GΩ to 1.28TΩ
信噪比(dB) 84
工作电流 (μA)(@500sps) -40
输入范围(mV)(差分) ±82
采样率 125sps to 8ksps
工作温度范围(℃) -40 to 85
封装类型Die/DFN-8
展开参数
CD12AD01-DIE
数据表格
电源电压(V) 2.2 to 3.6
目标探测器 热释电
输入阻抗 10GΩ to 1.28TΩ
信噪比(dB) 84
工作电流 (μA)(@500sps) -40
输入范围(mV)(差分) ±82
采样率 125sps to 8ksps
工作温度范围(℃) -40 to 85
封装类型Die
展开参数
CD12AD01D
数据表格
电源电压(V) 2.2 to 3.6
目标探测器 热释电
输入阻抗 10GΩ to 1.28TΩ
信噪比(dB) 84
工作电流 (μA)(@500sps) -40
输入范围(mV)(差分) ±82
采样率 125sps to 8ksps
工作温度范围(℃) -40 to 85
封装类型DFN-8
展开参数
CD12AD01B
数据表格
电源电压(V) 2.2 to 3.6
目标探测器 热释电
输入阻抗 10GΩ to 1.28TΩ
信噪比(dB) 84
工作电流 (μA)(@500sps) -40
输入范围(mV)(差分) ±82
采样率 125sps to 8ksps
工作温度范围(℃) -40 to 85
封装类型DFN-8
展开参数
CD12AD02
高集成度微弱信号采集 ASIC 芯片
数据表格
电源电压(V) 2.2 to 3.6
目标探测器 热释电
输入阻抗 10GΩ to 1.28TΩ
信噪比(dB) 84
工作电流 (μA)(@500sps) -40
输入范围(mV)(差分) ±82
采样率 125sps to 8ksps
工作温度范围(℃) -40 to 85
封装类型Die/DFN-8
展开参数
CD12AD02-DIE
数据表格
电源电压(V) 2.2 to 3.6
目标探测器 热释电
输入阻抗 10GΩ to 1.28TΩ
信噪比(dB) 84
工作电流 (μA)(@500sps) -40
输入范围(mV)(差分) ±82
采样率 125sps to 8ksps
工作温度范围(℃) -40 to 85
封装类型Die
展开参数
CD12AD02D
数据表格
电源电压(V) 2.2 to 3.6
目标探测器 热释电
输入阻抗 10GΩ to 1.28TΩ
信噪比(dB) 84
工作电流 (μA)(@500sps) -40
输入范围(mV)(差分) ±82
采样率 125sps to 8ksps
工作温度范围(℃) -40 to 85
封装类型DFN-8
展开参数
CD12AD02B
数据表格
电源电压(V) 2.2 to 3.6
目标探测器 热释电
输入阻抗 10GΩ to 1.28TΩ
信噪比(dB) 84
工作电流 (μA)(@500sps) -40
输入范围(mV)(差分) ±82
采样率 125sps to 8ksps
工作温度范围(℃) -40 to 85
封装类型DFN-8
展开参数
CD12AD11
高集成度微弱信号采集 ASIC 芯片
数据表格
电源电压(V) 2.2 to 3.6
目标探测器 热电堆
输入阻抗 --
信噪比(dB) 84
工作电流 (μA)(@500sps) -40
输入范围(mV)(差分) ±82
采样率 125sps to 8ksps
工作温度范围(℃) -40 to 85
封装类型Die/DFN-8
展开参数
CD12AD11-DIE
高集成度微弱信号采集 ASIC 芯片
数据表格
电源电压(V) 2.2 to 3.6
目标探测器 热电堆
输入阻抗 --
信噪比(dB) 84
工作电流 (μA)(@500sps) -40
输入范围(mV)(差分) ±82
采样率 125sps to 8ksps
工作温度范围(℃) -40 to 85
封装类型Die
展开参数
CD12AD11D
高集成度微弱信号采集 ASIC 芯片
数据表格
电源电压(V) 2.2 to 3.6
目标探测器 热电堆
输入阻抗 --
信噪比(dB) 84
工作电流 (μA)(@500sps) -40
输入范围(mV)(差分) ±82
采样率 125sps to 8ksps
工作温度范围(℃) -40 to 85
封装类型DFN-8
展开参数
CD12AD11B
数据表格
电源电压(V) 2.2 to 3.6
目标探测器 热电堆
输入阻抗 --
信噪比(dB) 84
工作电流 (μA)(@500sps) -40
输入范围(mV)(差分) ±82
采样率 125sps to 8ksps
工作温度范围(℃) -40 to 85
封装类型DFN-8
展开参数
CD12AD12
高集成度微弱信号采集 ASIC 芯片
数据表格
电源电压(V) 2.2 to 3.6
目标探测器 热电堆
输入阻抗 --
信噪比(dB) 84
工作电流 (μA)(@500sps) -40
输入范围(mV)(差分) ±82
采样率 125sps to 8ksps
工作温度范围(℃) -40 to 85
封装类型Die/DFN-8
展开参数
CD12AD12-DIE
高集成度微弱信号采集 ASIC 芯片
数据表格
电源电压(V) 2.2 to 3.6
目标探测器 热电堆
输入阻抗 --
信噪比(dB) 84
工作电流 (μA)(@500sps) -40
输入范围(mV)(差分) ±82
采样率 125sps to 8ksps
工作温度范围(℃) -40 to 85
封装类型Die
展开参数
CD12AD12D
高集成度微弱信号采集 ASIC 芯片
数据表格
电源电压(V) 2.2 to 3.6
目标探测器 热电堆
输入阻抗 --
信噪比(dB) 84
工作电流 (μA)(@500sps) -40
输入范围(mV)(差分) ±82
采样率 125sps to 8ksps
工作温度范围(℃) -40 to 85
封装类型DFN-8
展开参数
CD12AD12B
高集成度微弱信号采集 ASIC 芯片
数据表格
电源电压(V) 2.2 to 3.6
目标探测器 热电堆
输入阻抗 --
信噪比(dB) 84
工作电流 (μA)(@500sps) -40
输入范围(mV)(差分) ±82
采样率 125sps to 8ksps
工作温度范围(℃) -40 to 85
封装类型DFN-8
展开参数